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目前國(guó)內(nèi)鋼廠一般采取的包口砌筑方式為:包口磚砌筑完畢后,在包口磚上表面與鋼包殼距離150~200mm處填充澆注料,輔助焊接法蘭環(huán),以保護(hù)砌筑好的包口磚。爐坡快速修補(bǔ)搗打料廠家但包口料在使用過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)脫落,從而影響鋼包的使用,每次鋼包下線小修或大修時(shí),需要對(duì)包口進(jìn)行修復(fù),損壞的法蘭環(huán)要重新焊接,直接影響鋼包運(yùn)轉(zhuǎn),法蘭消耗較多,澆注料使用量增加。生產(chǎn)爐坡快速修補(bǔ)搗打料經(jīng)試驗(yàn)研究,設(shè)計(jì)出了包口預(yù)制件,經(jīng)安裝使用可提高鋼包包口使用率,減少包沿侵蝕,減少鋼包殼法蘭環(huán)修復(fù)工作,節(jié)約了成本。
碳鎂轉(zhuǎn)作為一種復(fù)合耐火材料,可有效利用鎂砂的抗渣侵蝕能力強(qiáng)和碳的高導(dǎo)熱及低膨脹性,爐坡快速修補(bǔ)搗打料廠家來(lái)補(bǔ)償鎂砂耐剝落性差的缺點(diǎn),主要用于轉(zhuǎn)爐、交流電弧爐、直流電弧爐的內(nèi)襯,鋼包渣線等部位其降低鎂碳磚高溫侵蝕的方法有以下幾點(diǎn):(1)可選用成分穩(wěn)定的優(yōu)質(zhì)材料,爐坡快速修補(bǔ)搗打料廠家提高材料的抗侵蝕能力、抗熱震性和抗結(jié)構(gòu)剝落性:選用高純且優(yōu)質(zhì)的電熔鎂砂,因其具有晶粒大、密度高、化學(xué)活性低、耐侵蝕性高等優(yōu)點(diǎn),同時(shí)能抗高溫下與碳的自毀反應(yīng)從而抑制爐渣對(duì)Mg0顆粒的侵蝕,其次提高M(jìn)gO含量并且減少雜質(zhì),尤其限制Si02含量,并且鎂碳磚結(jié)構(gòu)組分的硅酸鹽相減少,這樣可以使高溫下的副反應(yīng)如Si0與石墨的反應(yīng)減少,避免碳的氧化,另外提高M(jìn)g0晶體結(jié)晶程度,能防止高溫下Mg0晶界轉(zhuǎn)變?yōu)橐合嘁鸬娜芙?,阻止?fàn)t渣對(duì)鎂碳磚的進(jìn)一步滲透,提高石墨純度同樣可以增加鎂碳磚含量大于95%的石墨,隨著石墨的純度增加,其他雜質(zhì)成分降低,所含的硅酸鹽相也就少,在堿性渣中SiO會(huì)與碳鎂轉(zhuǎn)中的碳發(fā)生脫碳反應(yīng)形成脫碳層,還能與氧化鎂、氧化亞鐵等形成低熔相加速鎂碳磚的溶解,最后向鎂碳磚中添加適量抗氧化劑,并選用優(yōu)質(zhì)的熱固型結(jié)合劑也可提高鎂碳磚的高溫性能。
(1) 爐渣對(duì)鎂碳磚的侵蝕在鋼包中,由于渣線部位復(fù)雜的物理化學(xué)環(huán)境,導(dǎo)致該部位爐襯最易損毀。爐渣對(duì)鎂碳磚的化學(xué)侵蝕主要通過(guò)對(duì)氧化鎂的溶解,以及對(duì)鎂碳磚基體中碳的氧化,并在以下因素的共同作用下,導(dǎo)致鎂碳磚的損毀1、堿度的影響:爐渣的堿度越低,對(duì)鎂碳磚的侵蝕越有利,若爐渣堿度升高,使渣中SiO2的活度降低,可以降低對(duì)碳的氧化,同時(shí)隨著堿度的升高,爐渣中的FeO的活度下降,相對(duì)減緩了熔渣對(duì)鎂碳磚的侵蝕行為;2、MgO的影響:Osbom等在對(duì)LF爐渣線部位進(jìn)行成分分析時(shí)發(fā)現(xiàn),掛渣層中MgO的含量高達(dá)30%,并認(rèn)為爐渣中MgO的含量越高,鎂碳磚侵蝕越慢,堿度越高,爐坡快速修補(bǔ)搗打料廠家同樣使?fàn)t渣對(duì)鎂碳磚的侵蝕減緩3、Al2O3的影響:爐渣中的Al2O3會(huì)降低爐渣的熔點(diǎn)和粘度,生產(chǎn)爐坡快速修補(bǔ)搗打料增大爐渣與耐火材料的潤(rùn)濕性,使?fàn)t渣更容易從鎂砂晶界處滲透,使方鎂石脫離鎂碳磚基體4、FeO的影響:首先渣中FeO在高溫下很容易與鎂碳磚中石墨發(fā)生氧化反應(yīng),并且產(chǎn)生亮白色鐵珠,形成脫碳層如圖1所示,其次鎂碳磚中的方鎂石亦會(huì)同爐渣中的FeO反應(yīng)生成低熔點(diǎn)產(chǎn)物。
將天然菱鎂礦石或輕燒氧化鎂粉在回轉(zhuǎn)窯或豎窯中于1500?2000°C溫度范圍內(nèi)鍛燒,使MgO通過(guò)晶體長(zhǎng)大和致密變化,轉(zhuǎn)變?yōu)閹缀醵栊缘臒Y(jié)鎂砂,亦稱重?zé)V砂。天津爐坡快速修補(bǔ)搗打料燒結(jié)鎂砂是鎂質(zhì)制品中的重要原料。爐坡快速修補(bǔ)搗打料廠家燒結(jié)鎂砂的主要組成位于MgO-CaO-Si02三元系統(tǒng)中。三元系統(tǒng)中與MgO共存的礦物,隨著CaO/Si02&的不同而改變,具體變化見MgO-CaO-Si02三元系統(tǒng)。